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MMIX1G120N120A3V1
Fabricante: LITTELFUSE
(25 avaliações)
Descrição:
Ultra-low-Vsat PT IGBT for 3 kHz switching, optimized for low conduction losses, with high current handling capability and advantages such as high power density and low gate drive requirement.
Features
Silicon chip on direct-copper-bond substrate
Isolated mounting surface
Square RBSOA
Anti-parallel ultra fast diode
Applications
Power inverters
UPS
Motor drives
SMPS
PFC circuits
Battery chargers
Welding machines
Lamp ballasts
Inrush current protection circuits
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