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250S130-RBDR
Produttore: LITTELFUSE
(8 recensioni)
Descrizione:
The high-voltage radial device is a polymer-based PTC suitable to protect telephony equipment against lightning and power cross-strikes. It's fully compatible with telecommunications standards.
Features
Lead-free and halogen-free
Low resistance
Excellent solder joint inspectability
High voltage
RoHS compliant, directive 2002/95/EC
Applications
Customer premises equipment (CPE)
Central office (CO)/telecom centers
LAN/WAN equipment
Access equipment
Presso PARTS HUB LLC, non forniamo solo prodotti LITTELFUSE ma anche prodotti di molte altre marche. Offriamo una vasta gamma di prodotti per fornire le migliori soluzioni per le esigenze dei nostri clienti. Per informazioni più dettagliate sul prodotto LITTELFUSE - 250S130-RBDR, ti preghiamo di fare una richiesta immediatamente. Se desideri richiedere un prodotto diverso, richiedi un'offerta o invia un'email a info@usapartshub.com.
| Prodotto | Descrizione | Tempo di consegna |
|---|---|---|
| LITTELFUSE IXFN520N075T2 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 3-5 Settimane |
| LITTELFUSE MCMA120UJ1800ED | Thyristor module rectifier bridge with an isolation voltage of 3600 … | 3-5 Settimane |
| LITTELFUSE MMIX1F360N15T2 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 4-5 Settimane |
| LITTELFUSE IXFN210N30X3 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 3-4 Settimane |
| LITTELFUSE MMIX1F210N30P3 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 2-3 Settimane |
| LITTELFUSE IXFN52N100X | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 2-3 Settimane |
| LITTELFUSE IXTH12N100L | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 4-5 Settimane |