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MMIX1Y82N120C3H1
Fabricante: LITTELFUSE
(14 reseñas)
Descripción:
High-speed IGBT for 20-50 kHz switching, optimized for low conduction and switching losses, with high current handling capability and advantages such as high power density and low gate drive requirement.
Features
Silicon chip on direct-copper bond (DCB) substrate
Isolated mounting surface
Square RBSOA
Anti-parallel ultra fast diode
Positive thermal coefficient of vce(sat)
International standard package
Applications
High frequency power inverters
UPS
Motor drives
SMPS
PFC circuits
Battery chargers
Welding machines
Lamp ballasts
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