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250S130-RBDR
Fabricante: LITTELFUSE
(8 reseñas)
Descripción:
The high-voltage radial device is a polymer-based PTC suitable to protect telephony equipment against lightning and power cross-strikes. It's fully compatible with telecommunications standards.
Features
Lead-free and halogen-free
Low resistance
Excellent solder joint inspectability
High voltage
RoHS compliant, directive 2002/95/EC
Applications
Customer premises equipment (CPE)
Central office (CO)/telecom centers
LAN/WAN equipment
Access equipment
En PARTS HUB LLC, suministramos productos no solo de LITTELFUSE sino también de muchas otras marcas. Ofrecemos una amplia gama de productos para proporcionar las mejores soluciones para las necesidades de nuestros clientes. Para obtener más información detallada sobre el producto LITTELFUSE - 250S130-RBDR, realice una solicitud de inmediato. Si desea solicitar un producto diferente, solicitar oferta o envíe un correo electrónico a info@usapartshub.com.
| Producto | Descripción | Tiempo de entrega |
|---|---|---|
| LITTELFUSE IXFN520N075T2 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 3-5 Semanas |
| LITTELFUSE MCMA120UJ1800ED | Thyristor module rectifier bridge with an isolation voltage of 3600 … | 3-5 Semanas |
| LITTELFUSE MMIX1F360N15T2 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 4-5 Semanas |
| LITTELFUSE IXFN210N30X3 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 3-4 Semanas |
| LITTELFUSE MMIX1F210N30P3 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 2-3 Semanas |
| LITTELFUSE IXFN52N100X | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 2-3 Semanas |
| LITTELFUSE IXTH12N100L | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 4-5 Semanas |