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BAT62E6327
Fabricante: Infineon Technologies
(12 reseñas)
Descripción:
The BAT62E6327 is a RF Schottky diode wwith silicon low barrier N-type device.
Features
Low leakage current
Low signal distortion level
High efficiency/low loss
Low power consumption
Applications
Power detection in wireless LAN and WiFi routers
Power detection in mobile devices
Power detection in wireless applications in ISM bands
Mixer in 24 GHz passive radar system
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