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250S130-RBDR
Hersteller: LITTELFUSE
(8 Bewertungen)
Beschreibung:
The high-voltage radial device is a polymer-based PTC suitable to protect telephony equipment against lightning and power cross-strikes. It's fully compatible with telecommunications standards.
Features
Lead-free and halogen-free
Low resistance
Excellent solder joint inspectability
High voltage
RoHS compliant, directive 2002/95/EC
Applications
Customer premises equipment (CPE)
Central office (CO)/telecom centers
LAN/WAN equipment
Access equipment
Bei PARTS HUB LLC liefern wir nicht nur LITTELFUSE-Produkte, sondern auch Produkte von vielen anderen Marken. Wir bieten eine breite Palette von Produkten an, um die besten Lösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden bereitzustellen. Weitere detaillierte Informationen zum Produkt LITTELFUSE - 250S130-RBDR erhalten Sie, indem Sie sofort eine Anfrage stellen. Wenn Sie ein anderes Produkt anfordern möchten, Angebot anfordern oder senden Sie eine E-Mail an info@usapartshub.com.
| Produkt | Beschreibung | Lieferzeit |
|---|---|---|
| LITTELFUSE IXFN520N075T2 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 3-5 Wochen |
| LITTELFUSE MCMA120UJ1800ED | Thyristor module rectifier bridge with an isolation voltage of 3600 … | 3-5 Wochen |
| LITTELFUSE MMIX1F360N15T2 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 4-5 Wochen |
| LITTELFUSE IXFN210N30X3 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 3-4 Wochen |
| LITTELFUSE MMIX1F210N30P3 | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 2-3 Wochen |
| LITTELFUSE IXFN52N100X | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 2-3 Wochen |
| LITTELFUSE IXTH12N100L | A power MOSFET with N-Channel enhancement mode, avalanche rating, and … | 4-5 Wochen |