Sprache auswählen
BAT62E6327
Hersteller: Infineon Technologies
(12 Bewertungen)
Beschreibung:
The BAT62E6327 is a RF Schottky diode wwith silicon low barrier N-type device.
Features
Low leakage current
Low signal distortion level
High efficiency/low loss
Low power consumption
Applications
Power detection in wireless LAN and WiFi routers
Power detection in mobile devices
Power detection in wireless applications in ISM bands
Mixer in 24 GHz passive radar system
Bei PARTS HUB LLC liefern wir nicht nur Infineon Technologies-Produkte, sondern auch Produkte vieler anderer Marken. Wir bieten eine breite Palette an Produkten, um die besten Lösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten. Für detailliertere Informationen über das Produkt Infineon Technologies - BAT62E6327 stellen Sie bitte sofort eine Anfrage. Wenn Sie ein anderes Produkt anfordern möchten, fordern Sie ein Angebot an oder senden Sie eine E-Mail an info@usapartshub.com.
Angebotsanfrage Infineon Technologies BAT62E6327
Mit * gekennzeichnete Felder müssen ausgefüllt werden.